Name: IRF630NLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF630NLPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (163 reviews)

IRF630NLPBF

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Nº de peças	IRF630NLPBF
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
Ficha técnica	IRF630NLPBF Ficha técnica
pacote	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Em estoque	5.648 piece(s)
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Tempo de entrega	A ser confirmado
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Especificações do IRF630NLPBF

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
Series	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	9.3A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 25V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	82W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-262
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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IRF630NLPBF FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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