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FDS86267P

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Nº de peças FDS86267P
Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Descrição MOSFET P-CH 150V
Ficha técnica FDS86267P Ficha técnica
pacote 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Em estoque 6.930 piece(s)
Preço unitário $ 0,6528 *
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Especificações do FDS86267P

FabricanteFairchild/ON Semiconductor
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
Ficha técnica FDS86267PFicha técnica
pacote8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SeriesPowerTrench?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2.2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds1130pF @ 75V
Vgs (máx.)��25V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs255 mOhm @ 2.2A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor8-SO
Pacote / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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