Name: SUD35N10-26P-T4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD35N10-26P-T4GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (175 reviews)

SUD35N10-26P-T4GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SUD35N10-26P-T4GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Ficha técnica	SUD35N10-26P-T4GE3 Ficha técnica
pacote	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque	61.452 piece(s)
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Tempo de entrega	Pode ser enviado imediatamente
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Especificações do SUD35N10-26P-T4GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 12V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 12A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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SUD35N10-26P-T4GE3 Packaging

SUD35N10-26P-T4GE3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SUD35N10-26P-T4GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# SUD35N10-26P-T4GE3

Vishay Intertechnologies

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel (Alt: SUD35N10-26P-T4GE3)

RoHS: Compliant

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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D# SUD35N10-26P-T4GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

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D# NS-SUD35N10-26P-T4GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Channel 100-V D-S

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