Name: SI5401DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5401DC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (155 reviews)

SI5401DC-T1-GE3

Apenas para referência

Nº de peças	SI5401DC-T1-GE3
Fabricante	Vishay Siliconix
Descrição	MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Ficha técnica	SI5401DC-T1-GE3 Ficha técnica
pacote	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Em estoque	72.000 piece(s)
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Especificações do SI5401DC-T1-GE3

Fabricante	Vishay Siliconix
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Series	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5.2A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (máx.)	±8V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	1206-8 ChipFET?
Pacote / caso	8-SMD, Flat Lead

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SI5401DC-T1-GE3 Packaging

SI5401DC-T1-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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