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SI2316DS-T1-E3

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SI2316DS-T1-E3

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Nº de peças SI2316DS-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix
Descrição MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Ficha técnica

SI2316DS-T1-E3 Ficha técnica
pacote TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Em estoque 1.380.708 piece(s)
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Especificações do SI2316DS-T1-E3

FabricanteVishay Siliconix
CategoriaProdutos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacoteTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SeriesTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C2.9A (Ta)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds215pF @ 15V
Vgs (máx.)±20V
Recurso FET-
Dissipação de energia (máx.)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 3.4A, 10V
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de Dispositivo do FornecedorSOT-23-3 (TO-236)
Pacote / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2316DS-T1-E3 folha de dados

SI2316DS-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2316DS-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2316DS-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V72:2272_09216800

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2316DS-T1-E3)

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2316DS-T1-E3)

 0
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SILICONIX

 0
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 Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

RoHS: Compliant
 0
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D# SI2316DS-T1-E3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

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RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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D# 781-SI2316DS-T1-E3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

RoHS: Compliant
 4545
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SI2316DS-T1-E3

D# 85W2139

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.042ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:800mV RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
 0

SI2316DS-T1-E3.

D# 15AC0292

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.4A, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:800mV RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
 3000
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 Vishay Siliconix

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 Vishay Semiconductors

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.9A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236

 6752
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SI2316DST1E3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 25338
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 Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

 31555
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MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free
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 Coilcraft Inc

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SI2316DS-T1-E3

D# 35308905

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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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