Name: IPD25CN10NGBUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD25CN10NGBUMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (87 reviews)

IPD25CN10NGBUMA1

Apenas para referência

Nº de peças	IPD25CN10NGBUMA1
Fabricante	Infineon Technologies
Descrição	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Ficha técnica	IPD25CN10NGBUMA1 Ficha técnica
pacote	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Em estoque	6.128 piece(s)
Preço unitário	Request a Quote
Tempo de entrega	A ser confirmado
Tempo de entrega estimado	jun 12 - jun 17 (Escolha o envio acelerado)
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Especificações do IPD25CN10NGBUMA1

Fabricante	Infineon Technologies
Categoria	Produtos semicondutores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simples
pacote	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Series	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 39µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2070pF @ 50V
Vgs (máx.)	±20V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 35A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO252-3
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD25CN10NGBUMA1 folha de dados

IPD25CN10NGBUMA1 Packaging

IPD25CN10NGBUMA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD25CN10NGBUMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IPD25CN10NGBUMA1TR-ND

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MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

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Infineon Technologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2900

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Infineon Technologies AG

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